POSTIGNUĆE

Istraživači na FER-u razvili najbrži čisti silicijski lateralni bipolarni tranzistor na svijetu

Novi trendovi u razvoju poluvodiča odnose se na povećanje energetske učinkovitosti i postizanje jednostavnijeg proizvodnog procesa

Fakultet elektrotehnike i računarstva Sveučilišta u Zagrebu
 

 Goran Mehkek/Cropix

Istraživači FER-ovog Laboratorija za mikro i nano elektroniku (MiNEL) razvili su najbrži čisti silicijski lateralni bipolarni tranzistor na svijetu, baziran na novom konceptu bipolarnih tranzistora.

Najnoviji trendovi u razvoju poluvodiča (tranzistora) odnose se na povećanje energetske učinkovitosti i postizanje što jednostavnijeg proizvodnog procesa kako bi im cijena bila što niža. Novi tip tranzistora koji su pod vodstvom profesora Tomislava Suligoja razvili FER-ovi istraživači laboratorija MiNEL, ima znatno jednostavniji proizvodni proces od dominantnih i složenijih silicij-germanijskih bipolarnih tranzistora te samim time i nižu cijenu.

Bipolarni tranzistor s horizontalnim tokom struje (HCBT) predstavlja najbrži silicijski bipolarni tranzistor na svijetu. Kao što navode istraživači MiNEL laboratorija, HCBT struktura je zaštićena s više od 10 patenata i objavljena u vodećim časopisima i konferencijama. Na HCBT-u su istraživači radili čitav niz godina, uključujući pisanje teorije, računalne simulacije, izvodeći eksperimente, procesiranje i mjerenja, što je rezultiralo velikim brojem istraživačkih projekata i suradnjom s međunarodnim kompanijama.

FER-ov laboratorij za mikro i nano elektroniku jedno je od vodećih mjesta u Hrvatskoj za istraživanje i razvoj na području poluvodičkih elemenata i tehnologije, modeliranja i simulacije novih poluvodičkih struktura te projektiranja integriranih sklopova.

Osim najbržeg silicijskog bipolarnog tranzistora na svijetu, istraživači MiNEL-a razvili su i najtanji FinFET na svijetu - s debljinom tijela od svega 1.9 nm i visinom od 500 nm.

Podsjetimo, Europska komisija je početkom veljače predstavila prijedlog Akta o čipovima, koji uključuje udvostručenje tržišnog udjela EU-a u globalnim poluvodičima na 20% do 2030. godine. Ukupna ulaganja trebala bi doseći 43 milijarde eura. Odbori Europskog parlamenta prošlog su tjedna započeli raspravu o Aktu o čipovima. Stajalište odbora za proračun oblikovat će eurozastupnik Karlo Ressler, koji je upozorio da inicijativa ne bi smjela dovesti do smanjenja ulaganja kroz postojeće programe poput Obzor Europa ili Digitalna Europa.

"Ideja koordiniranog europskog plana je da se zajedničkim sredstvima potakne istraživanje i proizvodnja čipova u Europi s ciljem jačanja našeg digitalnog suvereniteta i gospodarskog te tehnološkog razvoja", poručio je Ressler.

Želite li dopuniti temu ili prijaviti pogrešku u tekstu?
Linker
18. srpanj 2022 17:43